0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Частка нумар | TPH1110FNH,L1Q | вытворца | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| апісанне | MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 53358 pcs | спецыфікацыя | TPH1110FNH,L1Q.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) | Пастаўшчык Камплект прылад | 8-SOP Advance (5x5) |
| серыя | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 5A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | ўпакоўка | Cut Tape (CT) |
| Упакоўка / | 8-PowerVDFN | іншыя назвы | TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNHL1QCT |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) | тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V | Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 250V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
| КБС | www.UPS.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
| траціл | www.TNT.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
