0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Частка нумар | TK14A65W5,S5X | вытворца | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| апісанне | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 25876 pcs | спецыфікацыя | TK14A65W5,S5X.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 690µA | Vgs (Макс) | ±30V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) | Пастаўшчык Камплект прылад | TO-220SIS |
| серыя | DTMOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.9A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 40W (Tc) | ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-220-3 Full Pack | іншыя назвы | TK14A65W5,S5X(M TK14A65W5,S5X-ND TK14A65W5S5X |
| Працоўная тэмпература | 150°C (TJ) | тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V | Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 650V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 650V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
| КБС | www.UPS.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
| траціл | www.TNT.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
