MSRT250120(A)

GeneSiC Semiconductor

Малюнак можа быць прадстаўленне. См спецыфікацыі дэталяў прадукту.

Агляд прадукту

Частка нумар:	MSRT250120(A)
Вытворца / Вытворца:	GeneSiC Semiconductor
Апісанне Прадукта	DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
лісткі:	MSRT250120(A).pdf
RoHs Статус	Свінец / Адпавядае RoHS
фота Стан	1843 pcs stock
карабель З	Ганконг
перасылка Шлях	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1843 pcs

Спасылка Кошт (у доларах ЗША)

25 pcs: $19.805

запыт Цытаваць: Калі ласка, запоўніце ўсе неабходныя палі з кантактнай information.Click « ПАДАЦЬ аб'яву » мы звяжамся з Вамі ў бліжэйшы час па электроннай пошце. Або напішыце нам:Info@infinity-electronic.com

Мэтавая цана:(USD)
Кол-у:

агульны:$19.805

Калі ласка, дайце нам сваю мэтавую цану, калі колькасць больш, чым тых, якія адлюстроўваюцца.

Частка нумар
Назва кампаніі
кантактная асоба
электронная пошта
паведамленне

характарыстыкі MSRT250120(A)

Частка нумар	MSRT250120(A)	вытворца	GeneSiC Semiconductor
апісанне	DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER	Бессвинцовый Статус / Статус RoHS	Свінец / Адпавядае RoHS
Даступнае колькасць	1843 pcs	спецыфікацыя	MSRT250120(A).pdf
Напружанне - Forward (Vf) (Max) @ Калі	1.2V @ 250A	Напружанне харчавання - DC Reverse (Vr) (Макс)	1200V
Пастаўшчык Камплект прылад	Three Tower	хуткасць	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
серыя	-	ўпакоўка	Bulk
Упакоўка /	Three Tower	іншыя назвы	MSRT250120(A)GN MSRT250120A
Рабочая тэмпература - Junction	-55°C ~ 150°C	тып ўстаноўкі	Chassis Mount
Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL)	1 (Unlimited)	Бессвинцовый Статус / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
дыёд тыпу	Standard	дыёд канфігурацыі	1 Pair Common Cathode
Падрабязнае апісанне	Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower	Ток - Зваротныя ўцечкі @ Vr	15µA @ 600V
Ток - сярэдні выпрастаныя (Io) (на дыёд)	250A (DC)

адгрузка
пасляпродажным
лісткі

★ бясплатная дастаўка ПРАЗ DHL / FEDEX / UPS КАЛІ ЗАКАЗ Сума больш за 1000 USD.
(ТОЛЬКІ ДЛЯ інтэгральных схем, абарона ад кароткага замыкання, ВЧ / ПЧ і RFID, оптаэлектроніка, датчыкі, пераўтваральнікі, трансфарматары, Ізалятары, выключальнікі, рэле)

FEDEX	www.FedEx.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.
DHL	www.DHL.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.
КБС	www.UPS.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.
траціл	www.TNT.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.

★ Час дастаўкі спатрэбіцца 2-4 дзён для большасці з краіны ва ўсім свеце па DHL / UPS / FedEx / TNT.

Калі ласка, не саромейцеся звяртацца да нас, калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні аб перасылцы. пішыце нам Info@infinity-electronic.com

пасляпродажным гарантыі

Кожны прадукт з Infinity-Semiconductor.com быў даным гарантыйны тэрмін 1 года .У гэты перыяд, мы маглі б забяспечыць бясплатнае тэхнічнае абслугоўванне, калі ёсць якія-небудзь праблемы аб нашых прадуктах.
Калі вы знаходзіце праблемы якасці пра нашых прадуктах пасля іх атрыманняў, вы можаце праверыць іх і падаць заяву на безумоўны вяртанне, калі яно можа быць даказана.
Калі прадукты з'яўляюцца дэфектнымі або яны не працуюць, вы можаце вярнуцца да нас на працягу 1 года, усе транспартныя і мытныя зборы тавараў пакрываюцца намі.

Якія адносяцца тэгі

GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A)
MSRT250120(A) Дыстрыб'ютар
MSRT250120(A) Пастаўшчык
MSRT250120(A) Цана
MSRT250120(A) Фотаздымкі
MSRT250120(A) выява
MSRT250120(A) дадзеныя ў фармаце PDF
MSRT250120(A) Спампаваць Тэхнічнае апісанне
MSRT250120(A) Тэхнічны пашпарт
MSRT250120(A) Stock
купіць MSRT250120(A)
Купіць GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor Пастаўшчык
GeneSiC Semiconductor Дыстрыб'ютар
GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A)

Спадарожныя тавары

: MSRT25060(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER; у запасе: 1819 pcs; спампаваць: MSRT25060(A).pdf; RFQ

: MSRT200160(A)D; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER; у запасе: 1762 pcs; спампаваць: MSRT200160(A)D.pdf; RFQ

: MSRT250160(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER; у запасе: 1823 pcs; спампаваць: MSRT250160(A).pdf; RFQ

: MSRT25080(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER; у запасе: 1683 pcs; спампаваць: MSRT25080(A).pdf; RFQ

: MSRT20060(A)D; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER; у запасе: 1734 pcs; спампаваць: MSRT20060(A)D.pdf; RFQ

: MSRTA200100(A)D; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER; у запасе: 1649 pcs; спампаваць: MSRTA200100(A)D.pdf; RFQ

: MSRT20080(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER; у запасе: 1713 pcs; спампаваць: MSRT20080(A).pdf; RFQ

: MSRTA200120(A)D; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER; у запасе: 1667 pcs; спампаваць: MSRTA200120(A)D.pdf; RFQ

: MSRT20060(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER; у запасе: 1708 pcs; спампаваць: MSRT20060(A).pdf; RFQ

: MSRT20080(A)D; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER; у запасе: 1505 pcs; спампаваць: MSRT20080(A)D.pdf; RFQ

: MSRT250100(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER; у запасе: 1915 pcs; спампаваць: MSRT250100(A).pdf; RFQ

: MSRT250140(A); вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER; у запасе: 1464 pcs; спампаваць: MSRT250140(A).pdf; RFQ

навіны галіны

Rohm дадае 10 аўтамабільных MOSFETs SiC: «Увядзенне серыі SCT3xxxxxHR дазваляе Rohm прапанаваць самую ...

ON дадае SiC MOSFETs: ON Semiconductor прадставіла два карбіду крэмнію MOSFETs, накірав...

АТЭС: TI думае бакоў, каб зрабіць AC-DC чып з 15mW чакання: «Гэта прылада забяспечвае найлепшы баланс паміж высок...

Аплачаныя Змест: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer: Аналізатар спектру SIGLENT SVA1015X з'яўляецца вельмі магутны...

Semi вытворчасць абсталявання выдаткоўваецца чакаецца зніжэнне на 14% у гэтым годзе і вырасце на 27% у наступным годзе: Натхнёныя запаволенне ў сектары памяці, 2019 спаду азнач...

Магутнасць Stamp парэзы Alliance патрэбна для цэнтральнага працэсара для маніторынгу ПЕВ, і дадае референсный дызайн: У Альянсе (Artesyn Embedded Technologies, Бел Power Solutions, Flex і STMicroelectronics...

АТЭС: SiC магутнасці і паляпшэнне хмарных электраінструменты: Магчымасці пошуку былі ўдасканалены, і ёсць меню карус...

Dengrove дадае кампактныя пераўтваральнікі DC / DC ад Рака: Яны прызначаныя для прыкладанняў, якія патрабуюць выс...

Першы працэсар ваенна-кваліфікаванае Arm для прывітанне-отн прыкладанняў: LS1046A з'яўляецца часткай 64-бітнага Arm Layerscape партфель кам...

Абярыце краіну або рэгіён.