0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Частка нумар | FDB9406-F085 | вытворца | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| апісанне | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 53675 pcs | спецыфікацыя | FDB9406-F085.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) | Пастаўшчык Камплект прылад | D²PAK (TO-263) |
| серыя | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 176W (Tj) | ўпакоўка | Tape & Reel (TR) |
| Упакоўка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | іншыя назвы | FDB9406-F085TR FDB9406_F085 FDB9406_F085TR FDB9406_F085TR-ND |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 175°C (TJ) | тып ўстаноўкі | Surface Mount |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 7710pF @ 25V | Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
| тып FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 40V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
| КБС | www.UPS.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
| траціл | www.TNT.com | Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны. |
