Абярыце краіну або рэгіён.

Транзістары - палявыя транзістары, МОП - Масівы

Рэкамендаваны Вытворцы

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (NASDAQ: ON) з'яўляецца рухаючай сілай эфектыўных інавацый энергіі, пашырэнне правоў і магчымасцяў кліентаў, каб паменшыць глабальнае спажыванне энергіі. Кам...дэталі

NVMFD5C478NWFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor апісанне:40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL
FDD8424H AMI Semiconductor / ON Semiconductor апісанне:MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
CPH6635-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor апісанне:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6
FDMS3626S AMI Semiconductor / ON Semiconductor апісанне:MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN

Diodes Incorporated: - Дыёды Інкарпарэйтэд з'яўляецца вядучым сусветным вытворцам і пастаўшчыком высакаякасных спецыялізаваных стандартных прадуктаў у межах шырокіх дыскрэтных, лагі...дэталі

DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated апісанне:MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated апісанне:MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO
DMC2041UFDB-13 Diodes Incorporated апісанне:MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN
BSS138DWQ-13 Diodes Incorporated апісанне:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363

International Rectifier (Infineon Technologies): З 1 красавіка 1999 года Siemens Semiconductors стаў Infineon Technologies. Дынамічная больш гнуткая кампанія арыентавана на поспех у канкурэнтнай, пастаянна свеце, які змяняецца мікраэле...дэталі

IPG20N06S4L14ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) апісанне:MOSFET 2N-CH 8TDSON
IRF7351PBF International Rectifier (Infineon Technologies) апісанне:MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
IPG20N06S415ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) апісанне:MOSFET 2N-CH 8TDSON
IRF7341PBF International Rectifier (Infineon Technologies) апісанне:MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Electro-Films (EFI) / Vishay: - асартымент прадукцыі Vishay з'яўляецца неперасягненым наборам дыскрэтных паўправаднікоў (дыёдаў, транзістараў, і оптаэлектронікі) і пасіўных кампанент (рэзістары, ...дэталі

SQJQ960EL-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay апісанне:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
SQJ974EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay апісанне:MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
SI3993CDV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay апісанне:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP
SIA922EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay апісанне:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

LAPIS Semiconductor: - ROHM была створана ў Кіёта, Японія, у 1958 году Rohm распрацоўвае і вырабляе паўправадніковыя прыборы, інтэгральныя схемы і іншыя электронныя кампаненты. Гэтыя кампанен...дэталі

SH8J31GZETB LAPIS Semiconductor апісанне:60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
QH8KA4TCR LAPIS Semiconductor апісанне:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
EM6M1T2R LAPIS Semiconductor апісанне:MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
SM6K2T110 LAPIS Semiconductor апісанне:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457

3,621 related products

3 4 5 6 7 8 9 101112 13 14 15 16 17

: IPG20N06S4L14ATMA1; вытворцы: International Rectifier (Infineon Technologies); апісанне: MOSFET 2N-CH 8TDSON; у запасе: 203534 pcs; спампаваць: IPG20N06S4L14ATMA1.pdf; RFQ

: NX3008PBKV,115; вытворцы: Nexperia; апісанне: MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666; у запасе: 1046382 pcs; спампаваць: NX3008PBKV,115.pdf; RFQ

: ALD210808PCL; вытворцы: Advanced Linear Devices, Inc.; апісанне: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP; у запасе: 34733 pcs; спампаваць: ALD210808PCL.pdf; RFQ

: SQJQ960EL-T1_GE3; вытворцы: Electro-Films (EFI) / Vishay; апісанне: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8; у запасе: 37757 pcs; спампаваць: SQJQ960EL-T1_GE3.pdf; RFQ

: SQJ974EP-T1_GE3; вытворцы: Electro-Films (EFI) / Vishay; апісанне: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8; у запасе: 75517 pcs; спампаваць: SQJ974EP-T1_GE3.pdf; RFQ

: IRF7351PBF; вытворцы: International Rectifier (Infineon Technologies); апісанне: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC; у запасе: 46409 pcs; спампаваць: IRF7351PBF.pdf; RFQ

: AO6602L; вытворцы: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.; апісанне: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP; у запасе: 507851 pcs; спампаваць: AO6602L.pdf; RFQ

: SI3993CDV-T1-GE3; вытворцы: Electro-Films (EFI) / Vishay; апісанне: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP; у запасе: 435644 pcs; спампаваць: SI3993CDV-T1-GE3.pdf; RFQ

: NVMFD5C478NWFT1G; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL; у запасе: 198874 pcs; спампаваць: NVMFD5C478NWFT1G.pdf; RFQ

: DMN63D8LDW-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363; у запасе: 1945236 pcs; спампаваць: DMN63D8LDW-13.pdf; RFQ

: FDD8424H; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK; у запасе: 240664 pcs; спампаваць: FDD8424H.pdf; RFQ

: DMTH6016LSD-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO; у запасе: 256301 pcs; спампаваць: DMTH6016LSD-13.pdf; RFQ

: CPH6635-TL-H; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6; у запасе: 369098 pcs; спампаваць: CPH6635-TL-H.pdf; RFQ

: DMC2041UFDB-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN; у запасе: 265166 pcs; спампаваць: DMC2041UFDB-13.pdf; RFQ

: FDMS3626S; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN; у запасе: 160623 pcs; спампаваць: FDMS3626S.pdf; RFQ

: IPG20N06S415ATMA2; вытворцы: International Rectifier (Infineon Technologies); апісанне: MOSFET 2N-CH 8TDSON; у запасе: 140726 pcs; спампаваць: IPG20N06S415ATMA2.pdf; RFQ

: BSS138DWQ-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363; у запасе: 706834 pcs; спампаваць: BSS138DWQ-13.pdf; RFQ

: CSD85302L; вытворцы: N/A; апісанне: MOSFET 2N-CH 20V 5A; у запасе: 128318 pcs; спампаваць:; RFQ

: MCH6660-TL-W; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6; у запасе: 151009 pcs; спампаваць: MCH6660-TL-W.pdf; RFQ

: SH8J31GZETB; вытворцы: LAPIS Semiconductor; апісанне: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET; у запасе: 113404 pcs; спампаваць: SH8J31GZETB.pdf; RFQ

: DMC3400SDW-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET N/P-CH 30V SOT363; у запасе: 173823 pcs; спампаваць: DMC3400SDW-13.pdf; RFQ

: QH8KA4TCR; вытворцы: LAPIS Semiconductor; апісанне: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET; у запасе: 90983 pcs; спампаваць: QH8KA4TCR.pdf; RFQ

: APTM08TAM04PG; вытворцы: Microsemi; апісанне: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P; у запасе: 1197 pcs; спампаваць: APTM08TAM04PG.pdf; RFQ

: DMS3019SSD-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO; у запасе: 132478 pcs; спампаваць: DMS3019SSD-13.pdf; RFQ

: EM6M1T2R; вытворцы: LAPIS Semiconductor; апісанне: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6; у запасе: 496840 pcs; спампаваць: EM6M1T2R.pdf; RFQ

: SIA922EDJ-T1-GE3; вытворцы: Electro-Films (EFI) / Vishay; апісанне: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6; у запасе: 600864 pcs; спампаваць: SIA922EDJ-T1-GE3.pdf; RFQ

: ALD114804ASCL; вытворцы: Advanced Linear Devices, Inc.; апісанне: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC; у запасе: 17398 pcs; спампаваць: ALD114804ASCL.pdf; RFQ

: FDMS3600AS; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN; у запасе: 41820 pcs; спампаваць: FDMS3600AS.pdf; RFQ

: STS3DNE60L; вытворцы: STMicroelectronics; апісанне: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC; у запасе: 139623 pcs; спампаваць: STS3DNE60L.pdf; RFQ

: SI4532CDY-T1-GE3; вытворцы: Electro-Films (EFI) / Vishay; апісанне: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC; у запасе: 327823 pcs; спампаваць: SI4532CDY-T1-GE3.pdf; RFQ

: IRF7341PBF; вытворцы: International Rectifier (Infineon Technologies); апісанне: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; у запасе: 91872 pcs; спампаваць: IRF7341PBF.pdf; RFQ

: NTMFD5C466NLT1G; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: T6 40V LL S08FL DS; у запасе: 101882 pcs; спампаваць: NTMFD5C466NLT1G.pdf; RFQ

: FDY2000PZ; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F; у запасе: 579624 pcs; спампаваць: FDY2000PZ.pdf; RFQ

: ECH8659-TL-W; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8; у запасе: 244027 pcs; спампаваць: ECH8659-TL-W.pdf; RFQ

: VEC2415-TL-W; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8; у запасе: 104563 pcs; спампаваць: VEC2415-TL-W.pdf; RFQ

: DMTH6010LPDQ-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI; у запасе: 126023 pcs; спампаваць: DMTH6010LPDQ-13.pdf; RFQ

: SM6K2T110; вытворцы: LAPIS Semiconductor; апісанне: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457; у запасе: 137670 pcs; спампаваць: SM6K2T110.pdf; RFQ

: NVMFD5C470NT1G; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU; у запасе: 206534 pcs; спампаваць: NVMFD5C470NT1G.pdf; RFQ

: DMN5L06DMK-7; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26; у запасе: 555133 pcs; спампаваць: DMN5L06DMK-7.pdf; RFQ

: DMN1003UCA6-7; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6; у запасе: 94490 pcs; спампаваць: DMN1003UCA6-7.pdf; RFQ

: EPC2100ENG; вытворцы: EPC; апісанне: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE; у запасе: 8516 pcs; спампаваць: EPC2100ENG.pdf; RFQ

: AUIRF9952QTR; вытворцы: International Rectifier (Infineon Technologies); апісанне: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO; у запасе: 154427 pcs; спампаваць: AUIRF9952QTR.pdf; RFQ

: STS2DNF30L; вытворцы: STMicroelectronics; апісанне: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC; у запасе: 102661 pcs; спампаваць: STS2DNF30L.pdf; RFQ

: IRF7329TRPBF; вытворцы: International Rectifier (Infineon Technologies); апісанне: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC; у запасе: 160904 pcs; спампаваць: IRF7329TRPBF.pdf; RFQ

: QS6M4TR; вытворцы: LAPIS Semiconductor; апісанне: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6; у запасе: 132003 pcs; спампаваць: QS6M4TR.pdf; RFQ

: UP0497900L; вытворцы: Panasonic; апісанне: MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P; у запасе: 127814 pcs; спампаваць: UP0497900L.pdf; RFQ

: DMC4029SK4-13; вытворцы: Diodes Incorporated; апісанне: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252; у запасе: 332149 pcs; спампаваць: DMC4029SK4-13.pdf; RFQ

: FQS4900TF; вытворцы: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; апісанне: MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP; у запасе: 54144 pcs; спампаваць: FQS4900TF.pdf; RFQ

3,621 related products

3 4 5 6 7 8 9 101112 13 14 15 16 17

Infinity-Semiconductor.com з'яўляецца адным з найбуйнейшых і хутка растучых электронных кампанентаў сусветнага дыстрыбутара. Наша місія складаецца ў тым, каб дапамагчы нашым кліентам хутка знайсці электронныя кампаненты, неабходныя ім па канкурэнтаздольным цэнах. Мы рады прапанаваць Вам самы шырокі асартымент прадукцыі, у тым ліку апошнія рэлізы ад лепшых сусветных вытворцаў мікрасхем, датчыкі, пераўтваральнікі, перамыкачы, рэле, оптаэлектронікі і дыскрэтных паўправаднікоў.

Пра нас: Пра нас; Палітыка прыватнасці; карта сайта

полісы: адгрузка; якасць; кошт Заява; Умовы выкарыстання

рэсурсы: катэгорыі прадуктаў; вытворцы; навіны галіны; новыя прадукты

паслугі: запыт прапановы; Мой рахунак; Звяжыцеся з намі

запыт прапановы

Аўтарскае права © 2020 Надзейны дыстрыбутар электронных кампанентаў - Infinity-Semiconductor.com

электронная пошта: Info@infinity-electronic.com
Адрас: 17F, Gaylord Commercial Building, 114-118 Локхарт Road, Wan Chai, Ганконг