RN2713JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Малюнак можа быць прадстаўленне. См спецыфікацыі дэталяў прадукту.

Агляд прадукту

Частка нумар:	RN2713JE(TE85L,F)
Вытворца / Вытворца:	Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне Прадукта	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
лісткі:	RN2713JE(TE85L,F).pdf
RoHs Статус	Свінец / Адпавядае RoHS
фота Стан	1095510 pcs stock
карабель З	Ганконг
перасылка Шлях	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1095510 pcs

Спасылка Кошт (у доларах ЗША)

4000 pcs: $0.031

запыт Цытаваць: Калі ласка, запоўніце ўсе неабходныя палі з кантактнай information.Click « ПАДАЦЬ аб'яву » мы звяжамся з Вамі ў бліжэйшы час па электроннай пошце. Або напішыце нам:Info@infinity-electronic.com

Мэтавая цана:
Кол-у:

агульны:$0.031

Калі ласка, дайце нам сваю мэтавую цану, калі колькасць больш, чым тых, якія адлюстроўваюцца.

Частка нумар
Назва кампаніі
кантактная асоба
электронная пошта
паведамленне

характарыстыкі RN2713JE(TE85L,F)

Частка нумар	RN2713JE(TE85L,F)	вытворца	Toshiba Semiconductor and Storage
апісанне	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV	Бессвинцовый Статус / Статус RoHS	Свінец / Адпавядае RoHS
Даступнае колькасць	1095510 pcs	спецыфікацыя	RN2713JE(TE85L,F).pdf
Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс)	50V	Vce Насычанасць (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
тып Transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)	Пастаўшчык Камплект прылад	ESV
серыя	-	Рэзістар - эмітар база (R2),	-
Рэзістар - Падстава (R 1)	47 kOhms	Магутнасць - Макс	100mW
ўпакоўка	Tape & Reel (TR)	Упакоўка /	SOT-553
іншыя назвы	RN2713JE(TE85LF)TR	тып ўстаноўкі	Surface Mount
Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL)	1 (Unlimited)	Бессвинцовый Статус / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Частата - пераход	200MHz	Падрабязнае апісанне	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Ток - Калектар Межавая (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (Макс)	100mA

адгрузка
пасляпродажным
лісткі

★ бясплатная дастаўка ПРАЗ DHL / FEDEX / UPS КАЛІ ЗАКАЗ Сума больш за 1000 USD.
(ТОЛЬКІ ДЛЯ інтэгральных схем, абарона ад кароткага замыкання, ВЧ / ПЧ і RFID, оптаэлектроніка, датчыкі, пераўтваральнікі, трансфарматары, Ізалятары, выключальнікі, рэле)

FEDEX	www.FedEx.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.
DHL	www.DHL.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.
КБС	www.UPS.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.
траціл	www.TNT.com	Ад $ 35,00 базавая кошт дастаўкі залежыць ад зоны і краіны.

★ Час дастаўкі спатрэбіцца 2-4 дзён для большасці з краіны ва ўсім свеце па DHL / UPS / FedEx / TNT.

Калі ласка, не саромейцеся звяртацца да нас, калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні аб перасылцы. пішыце нам Info@infinity-electronic.com

пасляпродажным гарантыі

Кожны прадукт з Infinity-Semiconductor.com быў даным гарантыйны тэрмін 1 года .У гэты перыяд, мы маглі б забяспечыць бясплатнае тэхнічнае абслугоўванне, калі ёсць якія-небудзь праблемы аб нашых прадуктах.
Калі вы знаходзіце праблемы якасці пра нашых прадуктах пасля іх атрыманняў, вы можаце праверыць іх і падаць заяву на безумоўны вяртанне, калі яно можа быць даказана.
Калі прадукты з'яўляюцца дэфектнымі або яны не працуюць, вы можаце вярнуцца да нас на працягу 1 года, усе транспартныя і мытныя зборы тавараў пакрываюцца намі.

Якія адносяцца тэгі

Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F)
RN2713JE(TE85L,F) Дыстрыб'ютар
RN2713JE(TE85L,F) Пастаўшчык
RN2713JE(TE85L,F) Цана
RN2713JE(TE85L,F) Фотаздымкі
RN2713JE(TE85L,F) выява
RN2713JE(TE85L,F) дадзеныя ў фармаце PDF
RN2713JE(TE85L,F) Спампаваць Тэхнічнае апісанне
RN2713JE(TE85L,F) Тэхнічны пашпарт
RN2713JE(TE85L,F) Stock
купіць RN2713JE(TE85L,F)
Купіць Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage Пастаўшчык
Toshiba Semiconductor and Storage Дыстрыб'ютар
Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba RN2713JE(TE85L,F)

Спадарожныя тавары

: RN2902,LF(CT; вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6; у запасе: 294403 pcs; спампаваць: RN2902,LF(CT.pdf; RFQ

: RN2902(T5L,F,T); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6; у запасе: 5694 pcs; спампаваць: RN2902(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN2708JE(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV; у запасе: 186725 pcs; спампаваць: RN2708JE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN2901FE(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6; у запасе: 246257 pcs; спампаваць: RN2901FE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN2711(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV; у запасе: 232476 pcs; спампаваць: RN2711(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN2710JE(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV; у запасе: 165604 pcs; спампаваць: RN2710JE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN2902FE(T5L,F,T); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6; у запасе: 5776 pcs; спампаваць: RN2902FE(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN2712JE(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV; у запасе: 967041 pcs; спампаваць: RN2712JE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN2902,LF; вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6; у запасе: 5762 pcs; спампаваць: RN2902,LF.pdf; RFQ

: RN2901(T5L,F,T); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6; у запасе: 2702 pcs; спампаваць: RN2901(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN2711JE(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV; у запасе: 1229875 pcs; спампаваць: RN2711JE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN2709JE(TE85L,F); вытворцы: Toshiba Semiconductor and Storage; апісанне: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV; у запасе: 1212574 pcs; спампаваць: RN2709JE(TE85L,F).pdf; RFQ

навіны галіны

Rohm дадае 10 аўтамабільных MOSFETs SiC: «Увядзенне серыі SCT3xxxxxHR дазваляе Rohm прапанаваць самую ...

ON дадае SiC MOSFETs: ON Semiconductor прадставіла два карбіду крэмнію MOSFETs, накірав...

АТЭС: TI думае бакоў, каб зрабіць AC-DC чып з 15mW чакання: «Гэта прылада забяспечвае найлепшы баланс паміж высок...

Аплачаныя Змест: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer: Аналізатар спектру SIGLENT SVA1015X з'яўляецца вельмі магутны...

Semi вытворчасць абсталявання выдаткоўваецца чакаецца зніжэнне на 14% у гэтым годзе і вырасце на 27% у наступным годзе: Натхнёныя запаволенне ў сектары памяці, 2019 спаду азнач...

Магутнасць Stamp парэзы Alliance патрэбна для цэнтральнага працэсара для маніторынгу ПЕВ, і дадае референсный дызайн: У Альянсе (Artesyn Embedded Technologies, Бел Power Solutions, Flex і STMicroelectronics...

АТЭС: SiC магутнасці і паляпшэнне хмарных электраінструменты: Магчымасці пошуку былі ўдасканалены, і ёсць меню карус...

Dengrove дадае кампактныя пераўтваральнікі DC / DC ад Рака: Яны прызначаныя для прыкладанняў, якія патрабуюць выс...

Першы працэсар ваенна-кваліфікаванае Arm для прывітанне-отн прыкладанняў: LS1046A з'яўляецца часткай 64-бітнага Arm Layerscape партфель кам...

Абярыце краіну або рэгіён.